-
1 Anstiegzeit eines Halbleiterdetektors
- время нарастания импульса заряда или напряжения выходного сигнала полупроводникового детектора ионизирующего излучения
время нарастания импульса заряда или напряжения выходного сигнала полупроводникового детектора ионизирующего излучения
время нарастания импульса заряда или напряжения выходного сигнала ППД
Интервал времени, в течение которого импульс заряда или напряжения выходного сигнала полупроводникового детектора ионизирующего излучения изменяется от 10 до 90 % от его максимального значения.
[ ГОСТ 18177-81]Тематики
Обобщающие термины
- основные радиометрические параметры полупроводникового детектора ионизирующего излучения
Синонимы
EN
DE
FR
Немецко-русский словарь нормативно-технической терминологии > Anstiegzeit eines Halbleiterdetektors
См. также в других словарях:
время нарастания импульса заряда или напряжения выходного сигнала полупроводникового детектора ионизирующего излучения — время нарастания импульса заряда или напряжения выходного сигнала ППД Интервал времени, в течение которого импульс заряда или напряжения выходного сигнала полупроводникового детектора ионизирующего излучения изменяется от 10 до 90 % от его… … Справочник технического переводчика